臺(tái)海網(wǎng)3月29日訊 （海峽導(dǎo)報(bào)記者 駱余民 通訊員 雷飏）導(dǎo)報(bào)記者昨日獲悉，位于廈門(mén)火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司，已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米HKMG（高介電常數(shù)金屬閘極）工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達(dá)98%，創(chuàng)歷史新高。這也是中國(guó)大陸目前集成電路最先進(jìn)技術(shù)最高良率。
據(jù)介紹，聯(lián)芯28納米High-K/Metal Gate 工藝制程采用了目前全球最先進(jìn)的Gate Last制程技術(shù)，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管性能，可應(yīng)用于更多樣化的各類電子產(chǎn)品，包括高性能應(yīng)用處理器和移動(dòng)基帶功能。
聯(lián)芯集成電路制造項(xiàng)目總投資62億美元，于2016年11月正式營(yíng)運(yùn)投產(chǎn)，是海峽兩岸合資建設(shè)的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項(xiàng)目。
