【名詞】

　　第三代半導體材料

　　第一代半導體材料是硅（Si）和鍺（Ge），第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表，第三代半導體材料包含有氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等化合物，又被稱為寬禁帶半導體，在禁帶寬度、電子遷移率、擊穿場強以及熱導率等更具優(yōu)良的物理學性能，主要滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高功率密度、高擊穿電壓、高頻率響應，以及耐高溫、抗輻射等工作在惡劣環(huán)境下可靠性的要求，在國防、航空航天、石油勘探、光存儲等領(lǐng)域有著重要的應用前景。廣泛地應用在寬帶通信、新能源、智能電網(wǎng)、超高壓直流輸電、智能制造、汽車制造等眾多新興的戰(zhàn)略性行業(yè)，替代傳統(tǒng)硅器件，可以降低20%-50%的能源損耗，同時有效地減小電力轉(zhuǎn)換裝備的體積。

　　【背景】

　　第三代半導體成全球競爭新制高點

　　國際上形成以美、日、歐為主的產(chǎn)業(yè)競爭格局

　　伴隨著固態(tài)照明、新能源、寬帶通信、電動汽車、AI等新興產(chǎn)業(yè)的興起，對新一代電子器件提出了更高的要求，在科技革命、產(chǎn)業(yè)變革中發(fā)揮著基礎(chǔ)性和先導性作用，第三代半導體已成為了全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。

　　進入新世紀以來，美國、日本、歐洲等發(fā)達國家，都在積極進行第三代半導體產(chǎn)業(yè)前沿技術(shù)布局，企業(yè)、高等院校、研究院及相關(guān)政府部門等有機地聯(lián)合在一起，協(xié)同組織，共同投入，合力公關(guān)。與此同時，國際固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）也啟動了第三代半導體相關(guān)標準文件的制定工作。至今，其技術(shù)和應用主要覆蓋了光電子、射頻/通信、電力電子、傳感器等專業(yè)領(lǐng)域。

　　縱觀第三代半導體在全球范圍內(nèi)發(fā)展態(tài)勢，國際上以Cree、Infineon、安森美、Rohm、意法半導體公司（ST）等領(lǐng)先廠商在功率半導體領(lǐng)域里已經(jīng)實現(xiàn)多個環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的突破，它們在不斷推出新款產(chǎn)品的同時，加強應用解決方案推廣，增資擴產(chǎn)也都在強勢地推進中，市場從前期的初步滲透向快速擴張發(fā)展。

　　總之，國際上以美、日、歐為主的發(fā)達國家之間的產(chǎn)業(yè)競爭格局業(yè)已形成，并隨著跨界資本的進入，在今后幾年里，這種競爭態(tài)勢將愈發(fā)激烈。

　　第三代半導體成為面向2030年重大項目

　　閩三角成為我國四大區(qū)域產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)之一

　　在國務院發(fā)布的《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中，第三代半導體已被列為國家面向2030年重大項目之一，2017年我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)開始進入實質(zhì)性全面推動。

　　在中央和各地政府出臺的政策大力支持下，以及伴隨新能源、智能制造、AI、5G通信等現(xiàn)代裝備產(chǎn)業(yè)興起所帶來的龐大市場需求的推動下，國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來了重要的發(fā)展機遇。預計3年-5年內(nèi)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)將基本形成幾個集聚區(qū)，分別是京津冀、長三角、珠三角和閩三角，這四大區(qū)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)迅猛勢頭。

　　作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域之一，我國半導體照明已是全球最大LED光源生產(chǎn)、消費和出口國。

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